3纳米良率低于目标量产延后?三星:仍按计划在二季度推进

6月21日,韩媒BusinessKorea报导,三星为赶超台积电,加码押注3纳米环绕闸极技术(GAA)技术,希望未来三年建立GAA技术的3纳米晶片制程,并在2025年量产以GAA制程为基础的2纳米晶片。三星则希望押注3纳米环绕闸极技术(GAA)技术,将在未来三年完成建立GAA技术的3奈米晶片制程,并在2025年量产以GAA制程为基础的2纳米晶片。